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为此中芯国际决定研发更先进的14nmFinFET工艺

2018/9/1 18:55:22 点击: 来自:
中芯国际的28nm工艺早在2015年就开始投产,并在2016年获得了高通骁龙425芯片的订单,不过当时的28nm为Poly/SiON规格,中芯国际的28nmPoly/SiON成功投产意义重大,代表着它在先进工艺制程上的又一个重大进展,不过中芯国际随后在研发先进工艺上遭遇了困难。 中芯国际的28nmPoly/SiON是相对落后的工艺,要取得更高的能效需要研发更先进的28nmHKMG工艺,然而其在研发该工艺上遭遇了难题,据称直到去年其一直都为提升28nmHKMG的良率而努力。 在研发28nmHKMG面临困难的时候,台积电和三星已先后演进至14nmFinFET、10nm工艺,其中台积电更在中国大陆的南京设立芯片制造厂预计在今年开始投产16nmFinFET,希望就近为中国芯片企业提供服务赢得大陆客户的订单,这给中芯国际带来了巨大的压力。 为此中芯国际决定研发更先进的14nmFinFET工艺,然而此时的它还在为提升28nmHKMG的良率而投入大量资源,研发14nmFinFET工艺的困难更大,中芯国际在先进工艺制程研发上呈现止步不前的局面,14nmFinFET工艺本预计在今年投产,然而业界担心它会不会如28nmHKMG一样一再延迟。

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